TLP 測試儀的檢測原理及檢測目的

TLP 測試儀的檢測原理及檢測目的

一、TLP的目的

TLP是Transmission Line Pulse的縮寫，當存儲在同軸電纜中的電荷被發射時，得到方波。
該特性可用于調查IC的保護電路特性。
重要的一點是方波的上升時間。保護電路的特性隨上升時間的變化而變化。因此，作為該器件的一個點，可以將上升時間從高速變為低速是很重要的。
作為目標上升，希望實現比200ps更快的高速上升。

2.TLP理論

TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法
主要有三種。
(1) TDR (Time Domain Refraction )
    使用DUT反射的波形的方法
(2) TDT (Time Domain Transmission)
    如何確定通過DUT的波形
(3) TDTR (Time Domain Transmission and Refraction) )
    以上兩種類型都使用。

圖 1 顯示了 TDR 方法。

電壓波形通過在放電通路上直接連接示波器來確認，電流波形通過在放電通路上插入電流探頭來確認。
在 TDT 方法中，圖 1 中的示波器和 DUT 的位置是相反的。
在TLP測試中，可以通過使用濾波器來改變上升時間，但脈沖寬度取決于充電同軸電纜的長度。

圖 2 顯示了 TLP 的電路配置。

T=2 L1/VT為脈寬（ns），L1為同軸電纜長度（mm）

　　　　　　V=2.0×10^8m/s（例）當L1=20（m）T=200（ns）

圖 3 是入射到 DUT 并被*消耗時的波形，可以用圖 2 中的電壓表（示波器）確認。
考慮到L2長10mm、DUT短的情況，分別確認入射波和反射波時的波形如圖4左圖所示。

可以用電壓表確認的波形如圖4右側所示。

同樣，可以用電流表（電流探頭）確認的波形如圖 5 右側所示。

TLP測試儀陣容

它是一種模擬保護電路工作特性的裝置。
它對于收集和分析內置于集成電路中的保護電路的工作參數非常有用。
VFTLP 測試也是可能的。

產品名稱/型號	設備描述	目錄	電影
HED-T5000 HED-T5000VF	配備先進的測試模式。我們有一個正常測試，應用脈沖寬度為 100 ns / 200 ns，以及一個 VFTLP（非常快速 TLP）測試模式，應用寬度減少到 1 ns。 它對于驗證具有 ESD 電阻的 HBM / CDM 測試很有用。您可以使用標準示波器檢查設備引腳的入射波和設備引腳的反射波。 該數據被保存并顯示在專用監視器上。可以在專用監視器上跟蹤入射/反射波的總值、回彈特性、通過 Vf/Im 測量的泄漏測量值等。 來自示波器的存儲數據允許算術處理的高度自由。例如，您可以通過在工藝發生變化的晶體管的導通電壓和可通過保護電路的最大電流值上疊加跡線來檢查差異。 它還可以連接到半自動探測器以自動執行 TLP 測試。 由于可以在Wafer上的應用引腳和芯片之間進行自動移位和自動測量，因此大大提高了測試效率。	點擊
HED-T5000-HC	目前，對高集成度、高頻率和高耐壓的器件的需求日益增加。 該設備可以測量傳統TLP無法覆蓋的高壓和大電流特性，有助于獲取和分析高壓元件的運行參數。