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日本napson階段集成式半自動四探針測量儀

產品名稱: 日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
產品型號: Cresbox
產品特點: 日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
產品特點
用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件
自檢功能,測量范圍廣
厚度/周邊位置/溫度校正功能(用于硅)
薄層電阻/金屬膜厚顯示功能

日本napson階段集成式半自動四探針測量儀 的詳細介紹

日本napson階段集成式半自動四探針測量儀

 

測量規格

測量對象

  • 與半導體/太陽能電池材料有關(硅,多晶硅,SiC等)
  • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
  • 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
  • 擴散樣品硅外延,離子注入樣品
  • 其他(*請聯系我們)

測量尺寸

?8英寸,或?156x156mm

 

測量范圍

[電阻率(電阻率)] 1 m至300 kΩ·cm 
[板電阻] 5 m至10 MΩ/ sq

 

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映射圖像

  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
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  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
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高規格類型的電阻率(比電阻)/薄層電阻半自動四探針法測量儀器

產品名稱:RT-3000 / RG-2000(RG-3000)

產品圖片(可根據客戶要求進行各種定制)

  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
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產品特點

  • 具有世界醉高電阻測量范圍的4探針測量儀
  • 用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件
  • 自檢功能,厚度/周邊位置/溫度校正功能(用于硅)
  • 根據電阻范圍從2種類型的測試儀中選擇
  • (RT-3000(S):寬范圍,RT-3000(H):高電阻范圍)

測量規格

測量對象

  • 與半導體/太陽能電池材料有關(硅,多晶硅,SiC等)
  • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
  • 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
  • 擴散樣本
  • 硅基薄膜(LTPS等),IGZO
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 其他(*請聯系我們)

測量尺寸

?8英寸,或?156x156mm 

?選件(兼容大直徑尺寸:RG-3000型):?12英寸,?210×210mm

 

測量范圍

①RT-3000(S);
[電阻率(電阻率)] 100μ- 1MΩ·cm 
[層電阻] 1m- 
10MΩ / sq②RT-3000(H);
[層電阻] 10m-1GΩ/ sq

 

傳單

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映射圖像

  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])

平板(液晶等)電阻率(比電阻)/薄層電阻的半自動測量

商品名稱:RG-100PV

產品圖片(可根據客戶要求進行各種定制)

  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
  • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
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產品特點

  • 用于玻璃基板上薄膜的4探針半自動測量儀
  • XY軸機械平臺
  • 對于平面內多點測量,均勻螺距或隨機螺距的可選設置,已安裝2-D / 3-D映射軟件

測量規格

測量對象

  • 與半導體/太陽能電池材料有關(硅,多晶硅,SiC等)
  • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
  • 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
  • 擴散樣品硅薄膜(LTPS等),IGZO
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 與化合物半導體有關的(GaAs,Epi,GaN,Epi,InP,Ga等)
  • 其他(*請聯系我們)

測量尺寸

大300 x 300毫米(可選;大500 x 500毫米)

 

測量范圍

[電阻率(比電阻)] 1 m至200Ω·cm 
[板電阻] 1 m至1,000kΩ/ sq(可選;醉高10 MΩ/ sq)

日本napson階段集成式半自動四探針測量儀

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